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STGWA35HF60WDI分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
STGWA35HF60WDI |
參數(shù)屬性 | STGWA35HF60WDI 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 260W TO247 |
功能描述 | 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
文件大小 |
1.05555 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-26 18:35:00 |
人工找貨 | STGWA35HF60WDI價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGWA35HF60WDI規(guī)格書詳情
STGWA35HF60WDI屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA35HF60WDI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Description
This ultrafast IGBT is developed using a new
planar technology to yield a device with tighter
switching energy variation (Eoff) versus
temperature. The suffix W denotes a subset of
products designed for high switching frequency
operation (over 100 kHz).
Features
■ Improved Eoff at elevated temperature
■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction
susceptibility)
■ Low VF soft recovery antiparallel diode
Applications
■ Welding
■ Induction heating
■ Resonant converters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGWA35HF60WDI
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
185μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
30ns/175ns
- 測試條件:
390V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 長引線
- 描述:
IGBT 600V 70A 260W TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
NA |
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ST |
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