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STGW80H65FB_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導體

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原廠料號：STGW80H65FB品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 650V 120A 469W TO-247

STGW80H65FB是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導體生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW80H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgw80h65fb

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 資料說明：

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW80H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

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