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RGS00TS65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RGS00TS65D
廠商型號(hào)

RGS00TS65D

參數(shù)屬性

RGS00TS65D 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI

功能描述

650V 50A Field Stop Trench IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

976.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ROHM羅姆

中文名稱(chēng)

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 17:02:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGS00TS65DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.46mJ(開(kāi)),1.29mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    36ns/115ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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