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PMN55ENE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMN55ENE
廠商型號(hào)

PMN55ENE

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

3J

封裝外殼

SOT457

文件大小

276.05 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 22:30:00

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PMN55ENE規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Trench MOSFET technology

? Logic-level compatible

? Very fast switching

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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