NX6342EP中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NX6342EP |
| 功能描述 | LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s BASE-LR/LW APPLICATION |
| 文件大小 |
202.04 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-27 18:00:00 |
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NX6342EP規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NX6342EP is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
FEATURES
? Optical output power PO = 8.5 mW
? Low threshold current Ith = 8 mA
? Differential efficiency ηd = 0.23 W/A
? Wide operating temperature range TC = ?5 to +85°C
? InGaAs monitor PIN-PD
? CAN package φ 5.6 mm
? Focal point 6.0 mm
APPLICATIONS
? 10 Gb/s BASE-LR/LW (IEEE802.3ae)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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