首頁(yè)>NP80N04PUG-E1B-AY>規(guī)格書詳情
NP80N04PUG-E1B-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
相關(guān)芯片規(guī)格書
更多NP80N04PUG-E1B-AY規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NP80N04NUG and NP80N04PUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
FEATURES
? Non logic level
? Super low on-state resistance
- NP80N04NUG
RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
- NP80N04PUG
RDS(on) = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
? High current rating
ID(DC) = ±80 A
? Low input capacitance
Ciss = 4900 pF TYP.
? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NP80N04PUG-E1B-AY
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
TO-262 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
詢價(jià) | |||
R |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
R |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
R |
23+ |
TO263 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
TO-252 |
9500 |
專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) |
