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NGB15N41CLT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NGB15N41CLT4品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT 440V 15A 107W D2PAK

NGB15N41CLT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ngb15n41clt4

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 440V 15A 107W D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB15N41CLT4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 4V，10A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 440V 15A 107W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
17+
Dsup2supPAK-3
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
ON/安森美
2024
TO-263
505348
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
 詢價(jià)
ON
24+
D2PAK3LEAD
8866
詢價(jià)
ON
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D2PAK3LEAD
8133
全新原裝
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ON
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ONS
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NGB15N41CLT4
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6000
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DIP/SMD
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ON
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ON
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D2PAK3LE
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