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NESG7030M04-A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-CEL

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原廠料號：NESG7030M04-A品牌：CEL

資料說明：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

NESG7030M04-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝SOT-343F的NESG7030M04-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    nesg7030m04-a

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NESG7030M04-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    5.8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

  • 增益：

    14dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值：

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CEL
2022+
M04
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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CEL
24+
SOT-343F
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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RENESAS丨全系列供應(yīng)
23+
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45000
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3014(0.52)
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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2022
3014(0.52)
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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NICHIA
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3014(0.52)
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2022+
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