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NE461M02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE461M02
廠商型號

NE461M02

參數(shù)屬性

NE461M02 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

45.91 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-29 22:59:00

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NE461M02規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES

? HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX

? NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)

? HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz

? HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE461M02-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V SOT89

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
24+
NA/
3635
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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NEC
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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RENESAS
23+
SOT-89
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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SOT-89
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23+
原廠封裝
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振宏微原裝正品,假一罰百
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24+
原廠原裝
4000
原裝正品
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22+
SOT89
3000
原裝正品,支持實單
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RENESAS
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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23+
SOT89
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NEC
6000
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19
DIP/SMD
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