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NAND512R3A2BZA6E_集成電路（IC） 存儲器-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：NAND512R3A2BZA6E品牌：STMicroelectronics

資料說明：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

NAND512R3A2BZA6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝63-VFBGA的NAND512R3A2BZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    nand512r3a2bza6e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND512R3A2BZA6E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    60ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（8.5x15）

  • 描述：

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

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