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MT29E3T08EUHBBM4-3:B_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-美光科技

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原廠料號(hào)：MT29E3T08EUHBBM4-3:B品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

MT29E3T08EUHBBM4-3:B是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝的MT29E3T08EUHBBM4-3:B存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    mt29e3t08euhbbm4-3:b

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Elpida Memory

  • 中文名稱：

    美光科技股份有限公司

  • 資料說明：

    IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT29E3T08EUHBBM4-3

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    3Tb（384G x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 描述：

    IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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