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MRFE8VP8600HSR5_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號(hào)：MRFE8VP8600HSR5品牌：NXP USA Inc.

資料說明：BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS

MRFE8VP8600HSR5是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-1230-4S的MRFE8VP8600HSR5晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    mrfe8vp8600hsr5

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  • 資料說明：

    BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRFE8VP8600HSR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    860MHz

  • 增益：

    21dB

  • 額定電流（安培）：

    20μA

  • 功率 - 輸出：

    140W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230-4S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230-4S

  • 描述：

    BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP USA Inc.
24+
NI-1230-4S
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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