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MRF19030分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF19030
廠商型號

MRF19030

參數(shù)屬性

MRF19030 封裝/外殼為NI-400;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

功能描述

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

封裝外殼

NI-400

文件大小

390.98 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-27 19:26:00

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MRF19030規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF19030LR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.96GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-400

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400

  • 描述:

    FET RF 65V 1.96GHZ NI-400

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