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M29F400BB55M6T TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    M29F400BB55M6T TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    44-SOIC（0.496"，12.60mm 寬）

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-20 14:03:00

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原廠料號：M29F400BB55M6T TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO

M29F400BB55M6T TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝44-SOIC（0.496"，12.60mm 寬）的M29F400BB55M6T TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    m29f400bb55m6t%20tr

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    M29F400BB55M6T TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8，256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-SOIC（0.496"，12.60mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SO

  • 描述：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron Technology Inc.
24+
44-SO
56200
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 詢價
MICRON
20+
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Micron
21+
44SO
13880
公司只售原裝,支持實單
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610880
本公司只售原裝 支持實單
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Micron
23+
44-SOIC
36500
原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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Micron Technology Inc
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只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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Micron Technology Inc.
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