IS61WV5128EDBLL-10KLI_集成電路（IC）存儲器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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廠家型號：
IS61WV5128EDBLL-10KLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
庫存數量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
包裝：
卷帶（TR）
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-1-14 14:17:00

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原廠料號：IS61WV5128EDBLL-10KLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

IS61WV5128EDBLL-10KLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產封裝36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的IS61WV5128EDBLL-10KLI存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
is61wv5128edbll-10kli
規(guī)格書：
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資料說明：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

產品屬性

類型
描述
產品編號：
IS61WV5128EDBLL-10KLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 異步
存儲容量：
4Mb（512K x 8）
存儲器接口：
并聯
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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IS61WV5128EDBLL-10KLI

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