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IS43QR16512A-083TBLI_集成電路（IC） 存儲器-北京矽成

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原廠料號：IS43QR16512A-083TBLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA

IS43QR16512A-083TBLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝96-TFBGA的IS43QR16512A-083TBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    is43qr16512a-083tbli

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43QR16512A-083TBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR4

  • 存儲容量：

    8Gb（512M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.14V ~ 1.26V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    96-TWBGA（10x14）

  • 描述：

    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA

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