IS43DR86400E-3DBLI_集成電路（IC） 存儲器-北京矽成

原廠料號：IS43DR86400E-3DBLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

IS43DR86400E-3DBLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產封裝60-TFBGA的IS43DR86400E-3DBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

• 芯片型號：

  is43dr86400e-3dbli

• 規(guī)格書：

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• 企業(yè)簡稱：

  ISSI【北京矽成】詳情

• 廠商全稱：

  Integrated Silicon Solution Inc

• 中文名稱：

  北京矽成半導體有限公司

• 資料說明：

  IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA