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IRFP353中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP353
廠商型號(hào)

IRFP353

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

215.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-1 9:36:00

IRFP353規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low RDS(on)

● Improved Inducttive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

● TO-3P package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP353

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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