IMBG65R163M1HXTMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個-英飛凌

原廠料號：IMBG65R163M1HXTMA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

IMBG65R163M1HXTMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝的IMBG65R163M1HXTMA1晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

• 芯片型號：

  imbg65r163m1hxtma1

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 資料說明：

  SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-