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IM111X3Q1BAUMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊-英飛凌

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原廠料號(hào)：IM111X3Q1BAUMA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：CIPOS NANO PG-IQFN-37

IM111X3Q1BAUMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝39-PowerVQFN的IM111X3Q1BAUMA1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

  • 芯片型號(hào)：

    im111x3q1bauma1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    CIPOS NANO PG-IQFN-37

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IM111X3Q1BAUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100, CIPOS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    MOSFET

  • 配置：

    H 橋

  • 電壓 - 隔離：

    1500Vrms

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    39-PowerVQFN

  • 描述：

    CIPOS NANO PG-IQFN-37

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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