IHW30N160R2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
IHW30N160R2
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/英飛凌
庫存數(shù)量：
7000
產(chǎn)品封裝：
標準封裝
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-1 9:08:00

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原廠料號：IHW30N160R2品牌：Infineon(英飛凌)

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IHW30N160R2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝標準封裝/TO-247-3的IHW30N160R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
IHW30N160R2
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁數(shù)：
12 頁
文件大?。?/span>
396.65 kb
資料說明：
TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IHW30N160R2FKSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
TrenchStop?
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT，溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，30A
開關能量：
4.37mJ
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
-/525ns
測試條件：
600V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

供應商

企業(yè)：
深圳市智連鑫科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
張小姐
手機：
13357276588
詢價：
電話：
13357276588
地址：
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號一樓

IHW30N160R2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW30N160R2

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