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GA10JT12-263_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-GENESIC SEMICONDUCTOR

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原廠料號(hào)：GA10JT12-263品牌：GeneSiC Semiconductor

資料說明：TRANS SJT 1200V 25A

GA10JT12-263是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商GENESIC SEMICONDUCTOR生產(chǎn)封裝的GA10JT12-263晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    ga10jt12-263

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    GENESIC SEMICONDUCTOR詳情

  • 廠商全稱：

    GeneSiC Semiconductor

  • 資料說明：

    TRANS SJT 1200V 25A

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GA10JT12-263

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    25A（Tc）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    120 毫歐 @ 10A

  • 功率耗散（最大值）：

    170W（Tc）

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    TRANS SJT 1200V 25A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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