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GA04JT17-247_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個-GENESIC SEMICONDUCTOR

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原廠料號：GA04JT17-247品牌：GeneSiC Semiconductor

資料說明：TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

GA04JT17-247是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商GENESIC SEMICONDUCTOR生產(chǎn)封裝TO-247-3的GA04JT17-247晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號：

    ga04jt17-247

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    GENESIC SEMICONDUCTOR詳情

  • 廠商全稱：

    GeneSiC Semiconductor

  • 資料說明：

    TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GA04JT17-247

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    管件

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    4A（Tc）（95°C）

  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：

    480 毫歐 @ 4A

  • 功率耗散（最大值）：

    106W（Tc）

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AB

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

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