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FDMS86101中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

FDMS86101

功能描述

類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續(xù)漏極電流(Id):12.4A 功率(Pd):2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A N 溝道,PowerTrench MOSFET,100V,60A,8mΩ 此 N 溝道 MOSFET 是使用先進的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的,特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻,同時保持卓越的

文件大小

561.648 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
資料整理 深圳市亞泰盈科電子有限公司
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-9 22:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDMS86101

  • 功能描述:

    MOSFET 100/20V Nch Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
QFN
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