EFC4618R-TR_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:EFC4618R-TR品牌:onsemi

資料說明:MOSFET 2N-CH EFCP1818

EFC4618R-TR是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝4-XFBGA,F(xiàn)CBGA的EFC4618R-TR晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號:

    efc4618r-tr

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    MOSFET 2N-CH EFCP1818

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    EFC4618R-TR

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    2 N-通道(雙)

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 功率 - 最大值:

    1.6W

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-XFBGA,F(xiàn)CBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EFCP1818-4CC-037

  • 描述:

    MOSFET 2N-CH EFCP1818

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