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PDTC144EQB-Q

Marking：E9；Package：DFN1110D-3；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.5mm ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?QualifiedaccordingtoAEC-Q

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD123TK

Marking：E9；Package：SC-59A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG120G30ELP

Marking：E9；Package：CFP5；120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier

Features ?LowforwardvoltageandlowQrr ?Extremelylowleakagecurrent ?Thermalstabilityupto175°Cjunctiontemperature ?Fastandsmoothswitching ?Lowparasiticcapacitance ?AEC-Q101qualified Benefits ?Excellentefficiency ?Extraordinarysafeoperatingarea ?Minimalim

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG120G30ELP-Q

Marking：E9；Package：CFP5；120 V, 3 A Silicon Germanium (SiGe) rectifier

1.Generaldescription SiliconGermanium(SiGe)rectifierencapsulatedinaCFP5(SOD128)smallandflatleadSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits FeaturesBenefits ?LowforwardvoltageandlowQrr ?Extremelylowleakagecurrent ?Thermalstabilityupto

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG3020EJ

Marking：E9；Package：SC-90；30 V, 2 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

Features *Forwardcurrent:2A *Reversevoltage:30V *Ultralowforwardvoltage *SmallandflatleadSMDpackage

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG3020EJ-Q

Marking：E9；Package：SC-90；30 V, 2 A ultra low VF Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin averysmallandflatleadSOD323F(SC-90)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Forwardcurrent:2A ?Reversevoltage:30V ?U

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

SI2356DS

Marking：E9；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=40V ●ID=4.3A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

SI2356DS-HF

Marking：E9；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=40V ●ID=4.3A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

SZMM5Z13VT5G

Marking：E9；Package：SC-79；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD523(SC-79)ultrasmallflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Non-repetitivepeakreversepowerdisspation:≤40W ?Totalpowerdissipation:≤300mW ?Toleranceseries:±2 ?Wide

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZT52H-B43

Marking：E9；Package：SOD-123F；Single Zener diodes in a SOD123F package

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    E9

  • 功能描述：

    消費(fèi)電池與相機(jī)電池 N CELL 1.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    FDK Batteries

  • 電池大小：

    CR1/3N

  • 輸出電壓：

    3 V

  • 容量：

    160 mAh

  • 化學(xué)性質(zhì)：

    Lithium

  • 端接類型：

    Pressure Contacts

  • 可再充電/不可再充電：

    Non-Rechargeable

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
N/A
23+
SOT23-5
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢
 詢價(jià)
TOSHIBA
23+
20000
現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
EA
23+
6500
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
EA
23+
6500
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
A/N
25+
SOT23
30
原裝正品,假一罰十!
 詢價(jià)
A/N
25+
SOT23
30
原裝正品,假一罰十!
 詢價(jià)
INTEL/英特爾
2023+
BGA
57
AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
 詢價(jià)
24+
178
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
24+
N/A
48000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
2450+
6540
只做原廠原裝現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
更多E9供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-17 17:22:00

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