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DS1230Y集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

DS1230Y
廠商型號(hào)

DS1230Y
參數(shù)屬性

DS1230Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
功能描述

256k Nonvolatile SRAM
封裝外殼

28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
文件大小

222.21 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Maxim Integrated Products
企業(yè)簡稱

Maxim【美信】

中文名稱

美信半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 19:26:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1230Y-100+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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