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DS1230Y-200IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1230Y-200IND

Package：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1230Y-200IND+

Package：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1230Y-200

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

DS1230Y-200

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1230Y-200IND

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    200ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1230Y-200IND供應商 更新時間2025-2-27 16:30:00

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