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CED55N15

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V,55A,RDS(ON)=17mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU55N15

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 150V,55A,RDS(ON)=17mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多CED55N15供應商 更新時間2025-2-26 16:30:00

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