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BSR58LT1G_分立半導體產品 晶體管-JFET-安森美半導體

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原廠料號：BSR58LT1G品牌：onsemi

資料說明：JFET N-CH 40V 350MW SOT23

BSR58LT1G是分立半導體產品 > 晶體管 - JFET。制造商ONSEMI/安森美半導體生產封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的BSR58LT1G晶體管 - JFET結柵場效應晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

  • 芯片型號：

    bsr58lt1g

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    JFET N-CH 40V 350MW SOT23

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    BSR58LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝：

    散裝

  • FET 類型：

    N 通道

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    JFET N-CH 40V 350MW SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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