BLD6G21LS-50,112_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-安譜隆

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原廠料號(hào):BLD6G21LS-50,112品牌:Ampleon USA Inc.

資料說明:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

BLD6G21LS-50,112是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商AMPLEON/安譜隆生產(chǎn)封裝SOT-1130B的BLD6G21LS-50,112晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    bld6g21ls-50,112

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    AMPLEON【安譜隆】詳情

  • 廠商全稱:

    Ampleon USA Inc.

  • 資料說明:

    RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLD6G21LS-50,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.02GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 額定電流(安培):

    10.2A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1130B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM4

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

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