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BD681S_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-安森美半導(dǎo)體

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廠(chǎng)家型號(hào)：
BD681S
制造商：
ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
庫(kù)存數(shù)量：
0
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)
封裝外殼：
TO-225AA，TO-126-3
包裝：
散裝
安裝類(lèi)型：
通孔
更新時(shí)間：
2025-6-1 14:07:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：BD681S品牌：onsemi

資料說(shuō)明：TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3

BD681S是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-225AA，TO-126-3的BD681S晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線(xiàn)電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號(hào)：
bd681s
規(guī)格書(shū)：
下載
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠(chǎng)商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
資料說(shuō)明：
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
BD681S
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
晶體管類(lèi)型：
NPN - 達(dá)林頓
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-126-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3

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