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B11G2327N70DYZ_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-安譜隆

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原廠料號：B11G2327N70DYZ品牌：Ampleon USA Inc.

資料說明：B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP

B11G2327N70DYZ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商AMPLEON/安譜隆生產(chǎn)封裝36-QFN 裸焊盤的B11G2327N70DYZ晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    b11g2327n70dyz

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  • 企業(yè)簡稱：

    AMPLEON【安譜隆】詳情

  • 廠商全稱：

    Ampleon USA Inc.

  • 資料說明：

    B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    B11G2327N70DYZ

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    2.3GHz ~ 2.7GHz

  • 增益：

    30.3dB

  • 額定電流（安培）：

    1.4μA

  • 封裝/外殼：

    36-QFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-PQFN（12x7）

  • 描述：

    B11G2327N70DYZ/PQFN-12X7/REELDP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Ampleon USA Inc.
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36-QFN 裸焊盤
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