APTGT20H60T3G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-美高森美

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原廠料號(hào):APTGT20H60T3G品牌:Microsemi Corporation

資料說明:IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3

APTGT20H60T3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝SP3的APTGT20H60T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    aptgt20h60t3g

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱:

    美高森美公司

  • 資料說明:

    IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APTGT20H60T3G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,20A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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