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AOK20S60

600V 20A a MOS Power Transistor

GeneralDescription TheAOK20S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOK20S60

isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-247packaging ?Highspeedswitching ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?PFCstages ?Powersupply ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOK20S60L

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOK20S60L

600V 20A a MOS

GeneralDescription TheAOK20S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOT20S60

600V20AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOT20S60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT20S60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT20S60L

600V20AaMOS

GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOTF20S60

600V20AaMOS

GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

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萬國半導體美國萬國半導體

AOTF20S60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOK20S60

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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333888
專業(yè)直銷原裝AOS一系列可訂貨
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36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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AOS/萬代
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24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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30000
優(yōu)勢供應 實單必成 可13點增值稅
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NA
5000
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
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原裝正品，支持實單
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50000
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多AOK20S60供應商 更新時間2025-3-26 10:01:00

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