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A2G26H281-04SR3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號：A2G26H281-04SR3品牌：NXP USA Inc.

資料說明：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G26H281-04SR3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-780S-4L的A2G26H281-04SR3晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    a2g26h281-04sr3

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  • 資料說明：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    A2G26H281-04SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    14.2dB

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S-4L

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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